佳能半導體奈米壓印技術的真正實力 #掩膜

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... 2024-04-21 15:20 .. 使抗蝕劑固化。
    待固化完成後，再將掩膜剝離（圖2）。
    圖2：轉印方式的比較（數據來源：《日經xTECH》根據佳能的資料繪製）奈米壓印可以依照上述方法直接轉印圖案，因此即便是複雜圖案的轉印，也可在一次曝光中完成。
    如果依靠光刻的方式，只能在一次曝光中轉印縱向或橫向的形狀（注1）。
    因此，如果有斜向圖案或者多種圖案交織在一起，就需要進行多次曝光。
    隨著曝光次數的增加，其他工藝步驟（如蝕刻等）也會相應增加。
    （注1）使用根據橫、縱方向優化曝光條件的曝光方式。
    如果縱向和橫向圖案混合在一起，邊緣的曝光解析度會降低，邊緣的圖案會呈現鋸齒狀，因此需要分開曝光。
    在複製掩膜上形成圖案奈米壓印使用的是刻有實際尺寸圖案的掩膜。
    據佳能介紹，他們使用電子束繪製實際尺寸的母掩膜，然後使用奈米壓印裝置製作出複製掩膜（圖3）。
    由於奈米壓印裝置會使掩膜間出現直接的按壓接觸，與光刻方式相比更容易導致掩膜出 .. UfqiNews ↓ 1

...在作为半导体基板的硅晶圆上形成电路的曝光工序中使用.
    此次的光掩膜是该公司与总部位于比利时的半导体研发机构“imec”等合作开发的.
    制造光掩膜时，要在玻璃基板上形成感光材料膜，然后通过照射电子束来绘制电路图.
    大日本印刷引进了最先进的电子束绘图设备.
    通过调节感光材料的厚度等，从数千种模式中找到了最佳加工条件.
    大日本印刷计划在2023~2025年度向包括新一代极紫外（EUV）光刻设备用产品等在内的光掩膜业务投资200亿日元.
    此次为了实现1纳米级别，开发出了可支持光利用效率较高的“高NA”EUV光掩膜.
    大日本印刷最早2027年度，面向力争在日本实现最尖端半导体国产化的Rapidus量产2纳米光掩膜.
    争取之后再量产1纳米光掩膜.
    目标是到2030年度使EUV用光掩膜销售额达到100亿日元.
    1纳米半导体的电力效率和运算性能被认为可比2纳米半导体提高1~2成.
    以AI半导体为.. 01-09 20:10 ↓ 8

...當前還將加強傳統製程用光掩膜業務.
    在半導體行業，代工企業和半導體廠商自主開發的光掩膜被稱為「自製光掩膜」，而零部件企業生産的光掩膜被稱為「外銷光掩膜」.
    DNP和TekscendPhotomask是與美國Photronics並駕齊驅的大型外銷光掩膜企業.
    面向Rapidus的2nm製程用EUV光掩膜DNP和TekscendPhotomask正在致力於開發的是使用EUV（極紫外）光刻技術的2nm製程的光掩膜.
    TekscendPhotomask計劃在2027年前後開始量産，DNP計劃在2027年度開始量産.
    DNP將日本Rapidus公司作為2nm製程用EUV光掩膜的客戶.
    Rapidus正力爭2027年實現2nm製程的量産.
    大日本印刷將向Rapidus供應2nm製程的光掩膜（來源：大日本印刷）作為再受託方，DNP參與了日本新能源産業技術綜合開發機構（NEDO）委託給R.. 01-10 01:00 ↓ 5 ..UfqiNews