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11-14 20:40...晶体管是现代电子设备和集成电路中的基础元件，具有多种重要功能，包括放大和开关电信号。然而，受玻尔兹曼暴政这一基本物理限制的影响，硅基晶体管无法在低于一定电压的条件下工作，这无疑限制了其进一步提升性能，以及扩展适用范围。为打破这一瓶颈，团队利用由锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体材料，研制出这款新型3D晶体管。该晶体管性能与... 1
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10-23 12:50...团队使用普通的3D打印机和成本低廉、可生物降解的材料，打印了这些无半导体器件。虽然这些器件性能还不足以与传统半导体晶体管相比，但它们已能执行一些基本的控制任务，比如调节电动机的速度。这项新技术使用的能量较少，产生的废物也更少，不仅降低了生产成本，还减少了对环境的影响。实验过程中，团队发现掺杂铜纳米颗粒的聚合物细丝具有一... 0
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09-02 23:10...有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路。相关成果以“一种基于载流子可控受激发射的热发射极晶体管”为题，15日发表于《自然》期刊上。近年来，随着晶体管尺寸不断缩小，其进一步发展在速度和功耗等方面面临着众多挑战，寻找具有新工作原理的晶体管已经成为制备高性能集成电路的关键。正如水龙头可以控制水管中的水流，晶体管可以控制... 1
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08-26 13:20...芯片上的元件数量将以每年翻倍的速率增加。1975年，他将翻倍周期修改为两年。在这种增长节奏的推动下，人类先后进入了PC时代、互联网时代和AI时代。但功耗、内存、开关频率以及算力瓶颈等问题，正滞缓摩尔定律的前进。更为重要的是，摩尔定律受量子力学的限制，晶体管的尺寸正逼近物理极限。“当晶体管小到原子尺寸时，量子效应会发生作... 1
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08-18 19:40...由中国科学院金属研究所刘驰、孙东明研究员和成会明院士主导，与任文才团队和北京大学张立宁团队合作使用石墨烯等低维材料，构建了一种既可以降低功耗、又具有“负电阻”等功能的热发射极晶体管，有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路。相关成果以“一种基于载流子可控受激发射的热发射极晶体管”为题，15日发表于《自然》期刊上。近... 1
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08-09 16:10...这种材料具有卓越的绝缘性能，即使在厚度仅为1纳米时，也能有效阻止电流泄漏。相关成果8月7日发表于国际学术期刊《自然》。“二维集成电路是一种新型芯片，用厚度仅为1个或几个原子层的二维半导体材料构建，有望突破传统芯片的物理极限。但由于缺少与之匹配的高质量栅介质材料，其实际性能与理论相比尚存较大差异。”中国科学院上海微系统与... 2
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08-04 20:30...假设一个D1芯片可以实现362teraflops，要达到100exaflops，特斯拉将需要超过27.6万个D1芯片，或者超过32万英伟达A100GPU。500亿晶体管，D1已投产2021年特斯拉AIDay上，D1芯片初次亮相，拥有500亿晶体管，只有巴掌大小。它具备了强大和高效的性能，能够快速处理各种复杂的任务。今年... 0
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08-04 18:40...假设一个D1芯片可以实现362teraflops，要达到100exaflops，特斯拉将需要超过27.6万个D1芯片，或者超过32万英伟达A100GPU。500亿晶体管，D1已投产2021年特斯拉AIDay上，D1芯片初次亮相，拥有500亿晶体管，只有巴掌大小。它具备了强大和高效的性能，能够快速处理各种复杂的任务。今年... 0
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08-01 11:40...海量数据的处理对芯片的算力和能量效率提出了严峻挑战。然而，高能效计算芯片的发展正遭遇芯片架构、晶体管性能两个重大瓶颈：传统的冯·诺依曼架构已经无法满足高速、高带宽的数据搬运和处理需求，未来的高能效运算芯片必须在硬件架构上进行革新，以适用于神经网络等模型的张量数据运算。同时，构建芯片的硅基互补金属氧化物半导体晶体管也处于... 1
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07-13 15:30...利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连，集成度达到特大规模集成度水平。该成果日前以《基于光伏纳米单元的高性能大规模集成有机光电晶体管》为题发表于《自然·纳米技术》。随着现代信息科技的发展，功能芯片的集成密度越来越高，硅基芯片集成器件的密度已经超过每平方毫米2亿个晶体管。目前，集成电路芯片... 0
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07-09 23:20...”陆建华说。智慧天网创新工程是多学科相互渗透、相互交叉的复杂系统工程，面临着人才培养周期长和技术更新迭代快等多重考验。3年多来，清华大学时刻牢记习近平总书记殷殷嘱托，以“科研创新成果与国家发展需要丝丝相扣”为指引，全力推进工程发展。——突破关键技术。项目团队攻克了星上处理交换模组化设计、捷变波束空时灵活控制、空间激光通... 0
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07-05 19:50...将栅极长度减少到几纳米以下是不可能的。二维半导体二硫化钼的镜面孪晶边界（MTB）是宽度仅为0.4纳米的一维金属，因此，研究人员将其用作栅极电极，可克服光刻工艺的限制。这一成果显著优于国际电气电子工程师学会(IEEE)的预测，IEEE此前发布的国际集成电路设备和系统路线图(IRDS)预测，到2037年，芯片制程工艺将达到... 0
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06-29 18:40...晶体管就像一个闸门，可以打开（接通）或关闭（断开），以保持或停止电流在器件内的流动。这种栅极状态由施加在被称为"字线(WL)"的接触导电结构上的电压偏置来定义，如果晶体管导通，电流将流过晶体管到达电容器，并存储在电容器中。电容器需要有较高的深宽比，这意味着它的高度远大于宽度。在一些早期的DRAM中，电容器的有源区被嵌入... 0
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06-25 00:10...然而，开发和运行人工智能都离不开能源保障。以网上流行的人工智能生成图片功能为例，每生成一幅图片，消耗的电量相当于一部智能手机充满电的电量。英伟达H100型GPU芯片是目前人工智能算法最常用的芯片之一，一块这样的芯片一年消耗的电量比一个中等规模的家庭都要多。大规模部署人工智能的能耗更令人吃惊，据估计，从2027年起，仅人... 5
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06-24 09:50...实现全场景、全域下各类用户的接入。”陆建华说。智慧天网创新工程是多学科相互渗透、相互交叉的复杂系统工程，面临着人才培养周期长和技术更新迭代快等多重考验。3年多来，清华大学时刻牢记习近平总书记殷殷嘱托，以“科研创新成果与国家发展需要丝丝相扣”为指引，全力推进工程发展。——突破关键技术。项目团队攻克了星上处理交换模组化设计... 6
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06-15 01:10...预计于2024年第三季度推出的英特尔至强6性能核处理器（代号GraniteRapids），将同样基于Intel3打造。Intel3制程工艺如何助力新产品实现飞跃？与上一个制程节点Intel4相比，Intel3实现了约0.9倍的逻辑微缩和17%的每瓦性能提升。半导体行业目前的惯例是，制程节点的命名不再根据晶体管实际的物理... 9
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09-02 22:00...150瓦功率放大器电路图：功率放大器电路设计：AB类放大器级的设计：晶体管的选择：这里所需的输出功率为150W。考虑到晶体管的功率耗散，我们假设所需功率约为200W。这里我们选择+/-50V双电源，即Vcc=50V，负载为8欧姆。为了提高电路效率，我们选择了一对达林顿晶体管-TIP142（NPN）和TIP147（PNP... 1
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05-25 23:20...瑞典皇家理工学院和林雪平大学的研究团队在这方面取得了进展，首次成功地使用导电木头制造出了晶体管。这种晶体管不仅可以控制电流，而且还具有可降解、可持续、低成本等优点。最新研究成果已经发表在了《美国国家科学院院刊》（PNAS）上。瑞典林雪平大学有机电子实验室的高级副教授IsakEngquist说，“我们提出了一个前所未有的... 23
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05-25 09:10...谢飚同步重点介绍了SonyExpo现场发布和展示的一系列新品，包括ZV系列新一代产品，超广角变焦Vlog相机ZV-1II，具备18-50mm广角镜头和增强防抖功能；98英寸超大规格X90L电视，搭载XR认知芯片以及一系列的前沿画质技术，配合多声道屏幕声场和3D环绕声场转换技术；新型空间现实显示屏ELF-SR2，无需佩戴... 18
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05-05 23:40...三星电子在全球率先基于全环绕栅极（Gate-All-Around,GAA）晶体管结构量产了3纳米芯片。GAA架构是下一代代工微细加工工艺，是一项关键技术，可以改善静电特性，从而提高性能，降低功耗和优化芯片设计。三星表示，与之前的处理节点相比，3纳米GAA技术的性能提升了30%，能耗降低了50%，芯片面积减少了45%。三... 26
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05-01 08:20...一扫N3的阴霾。▲负责生产3nm芯片的晶圆十八厂图片来自：台积电不过，鉴于此前大部分厂商都砍掉了N3的订单，让台积电此前巨额投入打了水漂，此时也影响到了自身5nm、7nm的产能和布局。为了让N3E顺利转型和量产，台积电针对N3E做了一点微小的调整。相对于初始的计划，N3E会使用更少的EUV光刻层，从25层缩减到21层，... 5
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05-01 05:30...一扫N3的阴霾。▲负责生产3nm芯片的晶圆十八厂图片来自：台积电不过，鉴于此前大部分厂商都砍掉了N3的订单，让台积电此前巨额投入打了水漂，此时也影响到了自身5nm、7nm的产能和布局。为了让N3E顺利转型和量产，台积电针对N3E做了一点微小的调整。相对于初始的计划，N3E会使用更少的EUV光刻层，从25层缩减到21层，... 15
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