... 2024-08-09 16:10 .. 这种材料具有卓越的绝缘性能，即使在厚度仅为1纳米时，也能有效阻止电流泄漏。
相关成果8月7日发表于国际学术期刊《自然》。
“二维集成电路是一种新型芯片，用厚度仅为1个或几个原子层的二维半导体材料构建，有望突破传统芯片的物理极限。
但由于缺少与之匹配的高质量栅介质材料，其实际性能与理论相比尚存较大差异.”
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰说。
狄增峰表示，传统的栅介质材料在厚度减小到纳米级别时，绝缘性能会下降，进而导致电流泄漏，增加芯片的能耗和发热量。
为应对该难题，团队创新开发出原位插层氧化技术。
“原位插层氧化技术的核心在于精准控制氧原子一层一层有序嵌入金属元素的晶格中.”
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员田子傲说，“传统氧化铝材料通常呈无序结构，这会导致其在极薄层面上的绝缘性能大幅下降.”
具体来看，团队首先以锗基石墨烯晶圆作为预沉积衬底生长单晶 .. UfqiNews ↓
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