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09-02 19:30...而且进行堆叠会使得晶圆高度有所增高，而为了形成存储单元，则需要加工出极深且极细的孔，这就不可避免的需要导入最先进的设备，而这将花费庞大的成本。因此单纯的提升堆叠层数可以在一定程度上解决存储密度的问题，但不是提升存储密度的唯一解，在成本可控的前提下实现高密度、高性能存储成了重要的问题之一，对存储通孔深度、平面方向设计、工... 0
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02-03 10:40...而MLC（Multi-levelCell）、TLC（Triple-levelCell）和QLC（Quad-LevelCell）每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位，存储密度梯度提升。传统NANDFlash为平面闪存（2DNAND），3DNAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本... 0
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01-14 01:40...大家能猜出这些巨量SSD到底用了多少颗粒吗？咱们今天的例子是三星870EVO，一款SATA接口的SSD，比M.2SSD体积大得多，从外观上看，大家肯定觉得它能到4TB也不奇怪，多塞点颗粒进去就好了呗。先给大家打个预防针，可不要吃惊哦。这么小的PCB和区区4块闪存颗粒肯定让大家有点惊讶吧。为啥它不充分利用空间，用更多的颗... 26
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