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10-16 16:40...雖然過去日本企業尼康和佳能曾與阿斯麥展開開發競爭，但由於先進設備的研發費用負擔增加，尼康和佳能退出了這項業務，因此阿斯麥在EUV光刻機領域確立了壟斷地位。在半導體産業成為中美對立焦點的情況下，由於美國採取管制措施，阿斯麥無法向中國出口高性能設備。儘管如此，由於各國政府紛紛採取吸引半導體産業的政策，來自美國和日本的先進設... 0
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09-05 21:00...在財報説明會上，不僅是業績本身，提問還集中於被稱為「高頻寬內存（HBM）」的新一代記憶體的投資戰略。副社長金在駿表示，計劃在2024年把HBM的供應能力提高到前一年的3倍以上，到2025年提高到2024年的2倍以上，強調稱「將提高市場領導力」。其解釋稱已經準備好搶在其他公司之前，自2024年4～6月開始量産與目前主流的... 4
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09-05 20:30...很多觀點認為，來自AI伺服器的洽購正在增加。日本電子貿易商表示：「大型設備製造企業以高價購買，中小企業也以這個價格為基準採購SSD」。即使價格高，需求也沒有下降。據稱，「作為賣方的記憶體企業似乎正在把生産轉移到面向AI」。AI伺服器用於AI的學習和推理，在存儲數據時需要龐大的記憶體。電子産品貿易商的高管表示：「與用於數... 0
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07-15 07:40...本次拉動增長的是AI半導體。代表性的AI半導體——高性能GPU（圖形處理器）、尖端記憶體HBM（高頻寬記憶體）的需求很大。德爾普雷特表示：「2024年半導體市場規模將達到（同比增長20%的）約6300億美元，AI相關將達到1180億美元，佔到2成」。IDC預測稱，數據中心用AI半導體的世界市場在2024年將同比增長69... 3
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07-06 14:20...鎧俠的四日市工廠由於主力的智慧手機半導體需求低迷影響，鎧俠從2022年10月開始減産。減産規模一度超過30%。在北上工廠，該公司把建設中的製造廠房的投産時間從原定的2023年內延期至2025年以後。行情的改善推動了鎧俠決定解除減産。該公司2024年1~3月的最終損益為盈利103億日元（上年同期虧損1309億日元），時隔... 0
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07-06 13:00...向最尖端記憶體等領域投資約7200億日元（鎧俠的四日市工廠）此次開始量産的NAND型記憶卡將存儲數據的元件堆疊至218層，同時增加了可在一個元件上存儲的數據量。與以往産品相比，存儲容量提高約50%，寫入數據時所需的電力減少約30%。6月，鑒於AI需求等推動記憶體行情改善，鎧俠把生産線的開工率恢復到100%。此前由於主力... 1
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07-06 12:50...英偉達準備增加供應商。這一舉動導致半導體製造商之間為確保新的收入來源展開激烈競爭。目前SK海力士處於優勢，在HBM市場佔有全球過半份額。但南韓三星電子和美國美光科技等正在緊追猛趕。SK海力士在快速增長的AI用記憶體市場上佔據過半份額HBM通過堆疊多個普通DRAM（動態隨機記憶體）來實現高速、大容量數據處理。要具備競爭力... 6
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05-03 06:40...SK海力士在下一代記憶體「HBM」領域領先三星由於將半導體電路寬度減至極限的「微細化」正在迎來物理極限，HBM正在把晶片堆疊起來，以三維結構提高處理能力。就像在用於保存數據的NAND型記憶卡領域展開的堆疊技術競爭一樣，在DRAM領域也掀起了堆疊層數的競爭。領先的是在記憶體領域排在世界第2位的SK海力士。SK海力士與在A... 2
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03-13 19:30...四日市工廠月産6萬個，北上工廠月産2萬5000個，均力爭在2025年9月啟動首次供貨。兩家工廠量産最尖端産品的總投資額大約為4500億日元，日本經濟産業省最高將補貼1500億日元。鎧俠的三重縣四日市工廠將量産的最尖端記憶體被稱為「第8代」和「第9代」。特點是數據讀寫速度快，耗電也很少。經濟産業省認為，在全球範圍內，面向... 0
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02-05 22:40...即使切斷電源，數據也不會消失。還有數據保存性能出色的特點。另一方面，MRAM的製造成本較高，而且與現有記憶體相比，還存在耐用性及可靠性等課題。半導體代工企業力積電力爭使量産步入軌道，降低MRAM的成本，以實現普及。預計隨著生成AI普及，數據中心將猛增，該公司將應對越來越大的節電記憶體需求。力積電與日本SBI控股于202... 0
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12-02 08:50...1個分子就能攜帶「0或1」的1比特信息。該分子由鎢、氧、磷原子構成，呈箱型結構，有兩處位置可供金屬離子停留。據悉可以根據離子停留的位置來表達0或1，有望成為斷電後也不會丟失存儲數據的「非易失性」記憶體的材料。此前業界一直認為只有晶體才具備這種性質，其微細化程度有限。單分子電介質示意圖。上下有兩處位置可以讓離子穩定存在，... 0
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09-23 07:00...目前受到關注的AI需要處理大容量數據，而HBM作為最用於AI的臨時記憶體已開始被採用。用於長期保存數據的NAND型記憶卡的層疊技術是在電路形成工序的「前製程」中層疊存儲元件。而HBM是在作為組裝工序的「後製程」中層疊DRAM晶片，利用電子電路將多個半導體晶片連接起來。據稱，通過這種方法，能夠以三維結構在半導體封裝內佈滿... 0
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09-04 17:10...將給設備投資踩下煞車。該廠房的投資規模約為1萬億日元，建築面積約為3萬平方米，建成後將成為全球首屈一指的半導體記憶體生産基地。2022年3月宣佈動工時，疫情下的宅家生活帶來的智慧手機和個人電腦的特需仍然存在。當時，半導體短缺成為社會問題，各企業都加快了産能增強。不過，2022年夏季，情況急轉直下。由於全球經濟衰退的隱憂... 0
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2024-11-17-02:30 GMT . 添加到桌面浏览更方便.
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